UV LED、IR LED、Micro LED、
OLED、Lifi 、LED穿戴等特殊應(yīng)用
車用照明、植物照明、醫(yī)療照明、
激光照明、智慧照明等特殊照明
第十三屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇 (SSL China) 暨第三代半導(dǎo)體國際會議 (IFWS) 于2016年11月15-18日于北京國際會議中心舉行，貫徹中國十三五國家科技創(chuàng)新規(guī)劃，支撐落實(shí)戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料重點(diǎn)專項(xiàng)。
LEDinside 有此榮幸受邀參加會議，紀(jì)錄眾產(chǎn)業(yè)專家發(fā)表之重點(diǎn)趨勢，節(jié)集未來五年產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵將更著重在跨產(chǎn)業(yè)應(yīng)用，包含Micro LED、激光照明、VCSEL 激光、LiFi與可見光通訊、智能照明與健康照明。
Micro LED
第一天開幕式焦點(diǎn)會議中，2014諾貝爾物理獎得主，美國加州大學(xué)圣塔芭芭拉分校工程學(xué)院材料系教授中村修二先生提及三項(xiàng)重點(diǎn)LED產(chǎn)業(yè)新趨勢，包括Micro LED、激光照明、LiFi等。
其中，相較于OLED，Micro LED 省去了濾光片與偏光片，擁有更好的亮度與能源效率，同時產(chǎn)品壽命也較OLED來的長。各項(xiàng)顯示應(yīng)用之中，像素尺寸 (Pixel Size) 則是其中一個相當(dāng)重要的指標(biāo)，以300-600 DPI的顯示屏幕上，像素橫向尺寸 (Lateral Dimensions)約為10µm；1000以上DPI的顯示屏幕，像素橫向尺寸 (Lateral Dimensions)需做到更小。
然而Micro LED面臨到根本且最重要的問題，第一，Micro LED 效率，芯片尺寸也同時影響EQE表現(xiàn)，Micro LED的芯片尺寸相當(dāng)小，電流散布(Current Spreading)的面積也很小，相對于電流密度相當(dāng)?shù)母撸坏诙琈icro LED挑選與移轉(zhuǎn)技術(shù)。
