EM01-PV-III特點：

1.一體化樣品臺技術(shù)，兼容測量單晶和多晶太陽電池樣品
2.新型樣品調(diào)節(jié)技術(shù)，有效提高樣品定位精度高
3.獨特的噪聲處理方法，顯著增強信噪比
4.新型光電增強技術(shù)，顯著降低生產(chǎn)現(xiàn)場噪聲對結(jié)果的影響
5.增加現(xiàn)場供電檢測和調(diào)節(jié)功能，適應(yīng)更加復(fù)雜的供電環(huán)境
6.多種測量模式選擇，適合對不同精度要求的場合
7.多線程軟件結(jié)構(gòu)，提高用戶體驗

EM01-PV-III應(yīng)用領(lǐng)域：
單晶、多晶及各種薄膜太陽能電池的折射率和膜厚測量領(lǐng)域，既適合科研院所研究使用，亦適合工廠進行工藝研究分析和產(chǎn)線上產(chǎn)品檢測以及EM01系列激光橢偏儀家族的傳統(tǒng)領(lǐng)域，包括半導(dǎo)體、集成電路、微電子、光學(xué)鍍膜、醫(yī)學(xué)與生命科學(xué)、電化學(xué)、平板顯示領(lǐng)域、磁介質(zhì)存儲、聚合物、新材料、金屬處理等。
EM01-PV-III性能保證：
1.高穩(wěn)定性的He-Ne激光光源、高精度的采樣方法以及低噪聲探測技術(shù)，保證了系統(tǒng)的高穩(wěn)定性和高準(zhǔn)確度；
2.高精度的光學(xué)自準(zhǔn)直望遠系統(tǒng)，保證了快速、高精度的樣品方位對準(zhǔn)；
3.穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)設(shè)計、可靠的樣品方位對準(zhǔn)，結(jié)合先進的采樣技術(shù)，保證了快速、穩(wěn)定測量；
4.分立式的多入射角選擇，可應(yīng)用于復(fù)雜樣品的折射率和絕對厚度的測量；
5.一體化集成式的儀器結(jié)構(gòu)設(shè)計，使得系統(tǒng)操作簡單、整體穩(wěn)定性提高，并節(jié)省空間；
6.專用軟件方便太陽能電池測試和建模。

EM01-PV-III技術(shù)指標(biāo)：

激光波長
632.8nm (He-Ne laser)

膜層厚度精度
0.01nm (對于Si基底上110nm的SiO2膜層)

0.05nm (對于絨面Si基底上80nm的Si3N4膜層)

折射率精度
1x10-4 (對于Si基底上110nm的SiO2膜層)

5x10-4 (對于絨面Si基底上80nm的Si3N4膜層)

光學(xué)結(jié)構(gòu)
PSCA

激光光束直徑
<1mm

入射角度
40°-90°可選，步進5°

樣品方位調(diào)整
三維平移調(diào)節(jié)：±12.5mm（X-Y-Z三軸）

二維俯仰調(diào)節(jié)：±4°

光學(xué)自準(zhǔn)直系統(tǒng)對準(zhǔn)

樣品臺尺寸
Φ170mm

單次測量時間
0.2s

推薦測量范圍
0-2000nm

最大外形尺寸(長x寬x高)
887 x 332 x 552mm (入射角為90º時)

儀器重量（凈重）
25Kg