測(cè)試范圍: 硅材料測(cè)試（包括多晶硅料、硅錠、硅棒、硅塊、硅片和擴(kuò)散形成P-N后的太陽(yáng)電池等）
少子壽命: 1um-1ms
電阻率測(cè)試范圍：≥0.1Ωcm
測(cè)試速度：0.1second/point
測(cè)試不重復(fù)度：≤5%
電源要求:200VAC±10%,20A,50Hz 單相
機(jī)械參數(shù): 微波源:深 465mm 寬 230mm 高 470mm; 激光電源: 深 550mm 寬 430mm 高 175mm; 工控機(jī): 深 500mm 寬 400mm 高 170mm

HS-L1擁有國(guó)家發(fā)明專(zhuān)利擁有國(guó)家發(fā)明專(zhuān)利擁有國(guó)家發(fā)明專(zhuān)利(專(zhuān)利號(hào): ZL 20031110108310.7).采用微波反射光電導(dǎo)衰退發(fā)準(zhǔn)確分析測(cè)量半導(dǎo)體硅材料的少子壽命，實(shí)現(xiàn)對(duì)于材料的質(zhì)量合格檢測(cè)，并對(duì)太陽(yáng)能電池生產(chǎn)工藝進(jìn)行有效的在線(xiàn)監(jiān)測(cè)。導(dǎo)體硅材料的少子壽命，實(shí)現(xiàn)對(duì)于材料的質(zhì)量合格檢測(cè)，并對(duì)太陽(yáng)能電池生產(chǎn)工藝進(jìn)行有效的在線(xiàn)監(jiān)測(cè)。導(dǎo)體硅材料的少子壽命，實(shí)現(xiàn)對(duì)于材料的質(zhì)量合格檢測(cè)，并對(duì)太陽(yáng)能電池生產(chǎn)工藝進(jìn)行有效的在線(xiàn)監(jiān)測(cè)。