測試范圍: 硅材料測試（包括多晶硅料、硅錠、硅棒、硅塊、硅片和擴散形成P-N后的太陽電池等）
少子壽命: 1um-1ms
電阻率測試范圍：≥0.1Ωcm
測試速度：0.1second/point
測試不重復(fù)度：≤5%
電源要求:200VAC±10%,20A,50Hz 單相
機械參數(shù): 微波源:深 465mm 寬 230mm 高 470mm; 激光電源: 深 550mm 寬 430mm 高 175mm; 工控機: 深 500mm 寬 400mm 高 170mm

HS-L1擁有國家發(fā)明專利擁有國家發(fā)明專利擁有國家發(fā)明專利(專利號: ZL 20031110108310.7).采用微波反射光電導(dǎo)衰退發(fā)準確分析測量半導(dǎo)體硅材料的少子壽命，實現(xiàn)對于材料的質(zhì)量合格檢測，并對太陽能電池生產(chǎn)工藝進行有效的在線監(jiān)測。導(dǎo)體硅材料的少子壽命，實現(xiàn)對于材料的質(zhì)量合格檢測，并對太陽能電池生產(chǎn)工藝進行有效的在線監(jiān)測。導(dǎo)體硅材料的少子壽命，實現(xiàn)對于材料的質(zhì)量合格檢測，并對太陽能電池生產(chǎn)工藝進行有效的在線監(jiān)測。