■產(chǎn)品概述
　　SIC涂層石墨基座具有耐高溫、抗氧化、純度高、和耐酸堿鹽及有機試劑等特性，物理化學(xué)性能穩(wěn)定。與高純度石墨相比較，高純石墨在400℃開始發(fā)生強烈氧化，即使溫度不高，長期應(yīng)用也因氧化而掉粉末，會依附工件和臺面或污染使用環(huán)境，因此SIC涂層石墨基座作為一種新耗材在MOVCD設(shè)備、粉末燒結(jié)等工序上逐步代替了高純石墨基座。
　　本公司生產(chǎn)的SIC涂層石墨基座等產(chǎn)品涂層是在高溫條件下，使特種氣體釋放出硅，硅和碳直接結(jié)合，從而將特定形狀石墨基體包裹起來，形成SIC保護(hù)層，所形成的SIC牢牢的巴結(jié)在石墨基體上，賦予石墨基體特殊的性能，從而使石墨基座表面致密，無孔隙、耐高溫、抗溶蝕、抗氧化。
■主要特點：
● 高溫抗氧化：抗氧化,溫度高達(dá)1600℃時抗氧化性能仍然非常好。
● 純度高：高溫氯化條件下化學(xué)氣相沉積方法制得的。
● 耐沖刷：硬度高、表面致密、顆粒細(xì)。
● 抗腐蝕性：耐酸、堿、鹽及有機試劑。
■主要參數(shù)：
● SIC表面層為β－碳化硅 屬面心立方。
● 晶格常數(shù)α0.434mm。
● 具有高純度和各相異性。
● SIC涂層具有較高的熱導(dǎo)率 80W/m•k。
● 密度在 3.15－3.20g/cm3。
● 熱膨脹系數(shù) 4.8×10－6 ℃－1。
■產(chǎn)品應(yīng)用：
● MOCVD設(shè)備中，GaN外延生長用的石墨基座涂層。
● 單晶硅外延生長用的石墨基座涂層，平板基座、圓形基座、立體基座。
● 單晶硅器件燒結(jié)爐用的石墨底盤涂層。
● 石墨加熱器上的表面涂層（平板加熱器、圓形加熱器、筒形加熱器等等）。
● 各種氧化物隧道窯中燒結(jié)用的石墨匣缽?fù)繉印?br/>● 粉末冶金連續(xù)燒結(jié)用的石墨基座涂層。
● SIC涂層經(jīng)光學(xué)技術(shù)修磨用于太空反射鏡。